壓電晶體器件襯底超精密清洗的研究
發布時間：2020-11-25分享至：
1，應用領域： 石英晶片清洗效果評判
2，測試方法：座滴法
3，測試樣品名稱：石英晶片
4，測接觸角實驗過程：
? ?實驗一：清洗溫度對晶片清洗后接觸角的影響
? ?實驗步驟：晶片表面接觸角大小是衡量晶片表面潔凈程度的重要參考標準，晶片表面接觸角小于10°時，則認為清洗合格。在晶片清洗的過程中，溫度不僅直接影響油污和清洗劑性質，而且在超聲清洗工藝中與空化強度有密切關系。因此，在清洗工藝中溫度對晶片清洗效果有重要的影響。為了確定AFT101在AU清洗工藝中最佳的清洗溫度，降低能耗節約成本，本文針對AU工藝考查了AFT101不同溫度參數對清洗后晶片平均表面接觸角的影響。其中工藝溫度分別為30°、40°、50°，60°和70°，時間為5min，濃度為5%，頻率為40kHz，測試結果如圖4.4所示。
? ?實驗結果：
從圖4.4可知，隨著清洗溫度的升高，晶片清洗后平均接觸角逐漸減小，到60°C時降到最低3.92°，而當繼續升高溫度時，晶片清洗后平均接觸角并沒有減小而是小幅上升。這是因為隨著溫度的升高，晶片表面污染物軟化，在超聲波作用下，減弱了污染物對晶片的吸附作用。同時溫度的升高，冇利于表面活性劑形成膠束，對于聚氧乙煩類非離表面活性劑，接近池點時，清洗力最強。此外，在超聲清洗工藝中，淸洗溫度升高使得液體粘滯系數降低，導致聲壓值和空化閾值下降，有利于空化的發生。但當溫度過高，如圖70℃，此時超過空化活躍溫度，空化強度減弱，另外表面活性劑達到池點，潤濕、分散等能力減弱，極大地削弱了其對油污的清除能力，導致污染物在品片上殘貿，未能達到理想的清洗效果。
實驗二：清洗濃度對晶片清洗后接觸角的影響
? ? ? 實驗步驟：在達到清洗的的同時，減小清洗成本，獲取更大利潤是實際生產應用中不可忽略的問題。為了確定AFT101在AU清洗工藝中最佳的清洗濃度，本文針對AU工藝考了AFT101不同濃度參數對淸洗后晶片平均表面接觸角的影響。其中清洗劑濃度分別為1%、3%、5%、7%和9%，淸洗溫度為60℃，頻率為40kHz，時間為5min，測試結如圖4.5所示。
? ? ? 實驗結果：如圖4.5所示，隨著清洗劑濃度的增加，清洗后晶片平均表面接觸角隨之減小，當清洗劑濃度達到5%時，清洗后晶片平均表面接觸角達到最小值4.53°。繼續增加清洗劑濃度后清洗后晶片平均表面接觸角隨之小幅上升。原因是，當清洗液濃度較低時，增加濃度可使工作液中活性物含量增加，提高清洗液潤濕、乳化作用，有利于提高清洗效果。但當工作也中活性物遠大于臨界膠束濃度時，形成大型膠束，去污能力降低。另外，過高的的活性物濃度會導致單位體積內分子數增多，空化氣泡需要較高的聲壓克服氣泡膨脹帶來的壓力，導致空化難以發生，極大地影響了超聲清洗效果，導致晶片表面潔凈度低，接觸角增大。由此可得知，AU清洗工藝最佳清洗濃度為5%。
? ? ? 實驗三：清洗時間對晶片清洗后接觸角的影響
? ? ? 實驗步驟：為了確定AFT101在清洗工藝中最佳的清洗時間，本文針對AU工藝考查了AFT101不同時間參數對清洗后晶片平均表面接觸角的影響。其中清洗劑時間分別為3min、4min、5min,6min和7min,清洗溫度為60°，濃度為5%，頻率為40KHZ；，測試結果如圖4.6所示。
? ? ? 實驗結果：
從圖4.6可得知，隨著清洗時間的增加，清洗后晶片平均表面接觸角隨之減小，當清洗時間為5min時，清洗后晶片平均表面接觸角達到站小值3.72°。繼續增加清洗時間后潔洗后晶片平均表面接觸角隨之小幅上升。這是因為，時間較短時，淸洗劑中活性物與污染物反應不夠充分，吸附在晶片表面的污染物并未全部去除，因此增加清洗時間能充分去除晶片表面油污，從而提高清洗效率。然而當淸洗時間過長，脫離晶片表面吸附的污染物會對晶片造成二次污染，降低表面淸洗效率。同時，超聲波對品片有空化腐獨作用，空化腐燭效率與時間成正比，時間越長，對晶片表面損傷越大。
? ? ? ?實驗四：晶片清洗后表面接觸角的研究
? ? ? ?實驗結果：
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? ? ? ? ?如圖4.9所示，A：未清洗的石英晶片的平均接觸角最大為72.7°表明未清洗的石英晶片表面疏水性強；B：經過純水超聲波清洗后石英晶片的平均接觸角為43.3°，相比未清洗前表面接觸角存所下降，表明在超聲波的作用下，純水清洗掉晶片表面部分疏水性污染物，但很難徹底清洗干凈，因此平均接觸角大于10°沒有達到清洗要求；C：經過AFT101清洗后石英晶片的平均接觸角小于3°，已超出接觸角測量儀3°到180°的測量量程范圍，晶片表面污染物徹底清除，達到了清洗的潔凈要求。
來源：高遠. 壓電晶體器件襯底超精密清洗的研究[D].大連理工大學,2013.